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Alexandr Ivanovich Toropov | Institute of Semiconductor Physics - Rússia

Processo: 96/12148-5
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
Data de Início da vigência: 24 de junho de 1997
Data de Término da vigência: 23 de agosto de 1997
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Jose Claudio Galzerani
Beneficiário:Jose Claudio Galzerani
Pesquisador visitante: Alexandr Ivanovich Toropov
Instituição do Pesquisador Visitante: Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (SB RAS), Rússia
Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:95/00789-3 - Propriedades ópticas e de transporte de heteroestruturas semicondutoras: teoria e experiência, AP.TEM
Assunto(s):Espectroscopia Raman  Semicondutividade  Super-redes  Plasmons  Intercâmbio de pesquisadores 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Plasmon | Raman | Semicondutor | Superredes

Resumo

Serão analisadas por espectroscopia Raman, amostras de super-redes de GRAs/ARAs dopadas, crescidas no laboratório de origem do professor. Pretendemos obter evidências sobre o caráter dimensional do transporte por minibandas nestas estruturas (1D ou 3D), através de medidas dos comprimentos de localização dos elétrons, parâmetros que por sua vez serão obtidos da observação dos plasmons. (AU)

Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:
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