Estudo de interações hiperfinas em semicondures magnéticos diluídos

• Processo: 10/06311-0
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
• Data de Início da vigência: 18 de outubro de 2010
• Data de Término da vigência: 01 de novembro de 2010
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Rajendra Narain Saxena
• Beneficiário: Rajendra Narain Saxena
• Pesquisador visitante: Reiner Vianden
• Instituição do Pesquisador Visitante: Universität Bonn, Alemanha
• Instituição Sede: Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares (IPEN). Secretaria de Desenvolvimento Econômico (São Paulo - Estado). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Dispositivos eletrônicos Semicondutores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Correlação Angular Gama-Gama Perturbada | interações magnéticas | Interações quadrupoleras | semicondutores | Interações hiperfinas eletromagneticas

Resumo

Visita cientifica do Professor Reiner Vianden do Helmholtz-Institut für Strahlen Und Kernphysik da Universidade de Bonn, Alemanha a laboratório de Interações Hiperfinas do IPENResumo do Plano de trabalhoO presente plano de trabalho terá como foco a caracterização das amostras de semicondutores ZnO puro e dopados com alguns elementos de transição de serie 3d (T = Cr, Mn, Fe, Co e Ni) na busca de Semicondutor Magnético Diluído (SMD). A investigação será feita pela uma técnica microscópica, a Correlação Angular Gama-gama Perturbada (CAP) através de medidas do campo hiperfino magnético (chm) e do gradiente de campo elétrico (gce) nos sítios da ponta de prova. Sera utilizada 111In como núcleo de prova introduzido na amostra durante a fase de preparação do Zn1-xOTx pelo processo químico sol-gel. Pretende-se estudar o comportamento do Campo Hiperfino Magnético (chm) do semicondutor magnético diluído como função da temperatura, para diferentes concentrações do dopants. Vamos realizar um estudo sistemático dos valores dos parâmetros hiperfinos (chm e gce) além da temperatura de transição magnética, como função da estrutura eletrônica do elemento dopante 3d. Este estudo já faz parte da tese de doutoramento de um dos alunos do nosso grupo de pesquisa no IPEN. Dr. Vianden deve participar nas algumas medidas durante sua estadia em nosso laboratório interagindo com nossos estudantes. Alem de participar nos experimentos Dr. Vianden apresentará alguns seminários sobre as pesquisas em andamento no Bonn sob sua liderança para integrantes do nosso grupo com enfoque nos matérias semicondutor e implantação iônica. (AU)