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Confecção e caracterização de amostras nano-estruturadas do óxido semicondutor CeO2 dopadas com Fe, Mn e Ni por uma técnica de investigação nuclear

Processo: 11/05408-2
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Mestrado
Vigência (Início): 01 de agosto de 2011
Vigência (Término): 30 de abril de 2013
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Nuclear - Aplicações de Radioisótopos
Pesquisador responsável:Artur Wilson Carbonari
Beneficiário:Caio de Oliveira Salutte
Instituição-sede: Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares (IPEN). Secretaria de Desenvolvimento Econômico (São Paulo - Estado). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Materiais nanoestruturados   Óxidos semicondutores   Espectroscopia   Estrutura hiperfina

Resumo

O presente projeto tem como objetivo confeccionar amostras nano-estruturadas de óxidos semicondutores CeO2 puros e dopados com metais de transição Fe, Mn e Ni e utilizar uma técnica nuclear para a medida de interações hiperfinas para caracterizar defeitos e um possível ordenamento magnético sob o ponto de vista atômico. O trabalho terá como foco a confecção dos materiais para estabelecer uma metodologia para preparar amostras "bulk", nanopartículas e filmes finos nanoestruturados de CeO2 puro e dopado. Inicialmente as amostras serão caracterizadas por difração de raios-X e microscopia eletrônica de varredura e transmissão. Medidas adicionais de magnetização, quando for o caso de compostos magnéticos, e difração de nêutrons poderão ser utilizadas. A técnica nuclear a ser utilizada na invetigação é a espectroscopia de correlação angular gama-gama perturbada (PAC) para as medidas do campo hiperfino magnético (CHM) e do gradiente de campo elétrico (GCE) nos sítios da ponta de prova radioativa. A medida do CHM será usada para a caracterização do comportamento magnético das amostras por meio da determinação da temperatura crítica de ordenamento magnético e pela determinação do valor do CHM extrapolado para 0 K. Esta medida também poderá identificar a formação de outras fases magnéticas. A medida do GCE será usada para o estudo dos defeitos introduzidos no material semicondutor e também para a identificação de diferentes fases formadas dentro do composto. A técnica PAC tem sido aplicada pelo laboratório de interações hiperfinas do IPEN com sucesso para o estudo das interações entre átomos de prova metálicos e sua vizinhança em diversos materiais. (AU)

Publicações acadêmicas
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
SALUTTE, Caio de Oliveira. Investigação do óxido semicondutor CeO2 dopado com Fe e La pela espectroscopia de correlação angular gama-gama perturbada. 2014. Dissertação de Mestrado - Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP São Paulo.

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