Desenvolvimento de laser DPSS amarelo para aplicações oftalmológicas

• Processo: 08/55279-1
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Pesquisa Inovativa em Pequenas Empresas - PIPE
• Data de Início da vigência: 01 de agosto de 2009
• Data de Término da vigência: 31 de julho de 2011
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Jarbas Caiado de Castro Neto
• Beneficiário: Jarbas Caiado de Castro Neto
• Empresa: Opto Médica Equipamentos Ltda
• Município: São Carlos
• Assunto(s): Terapia a laser de baixa intensidade Diodo laser
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Cavidade Optica | Emissao Laser Amarelo | Ktp | Laser De Diodo | Meio Ativo Laser Nd:Gdvo4 | Tec

Resumo

Laser desenvolvido com tecnologia DPSSL (Diode Pumped Solid State Laser) tem se tornado uma alternativa atrativa em relação a laser de íon de argônio refrigerado a ar e a laser de Hélio-Neônio (HeNe) em várias aplicações. Laser DPSS combina a baixa potência de consumo do laser de He-Ne, a alta potência de saída de um laser de íon de argônio e ao tamanho e a eficiência de um laser de diodo. Este laser é sintonizável nas regiões espectrais do infravermelho (1064 nm), verde 532 nm e azul (457 nm) com potência de saída de até 5W, um longo tempo de vida de operação e altamente estável. Neste projeto estamos interessados em desenvolver um laser sintonizável na região do amarelo em 586,5 mm. Laser DPSS usa um laser de diodo semicondutor operando na região de 807 nm para bombear um cristal laser dopado Nd:GdV04 (meio ativo para emissão laser infravermelho em 1173 nm), conhecido como microchip. A emissão visível em 586,5 nm é obtida ao colocar um cristal dobrador não linear KTP (KTiOPO4) dentro da cavidade laser próximo ao meio ativo laser. Estes componentes intracavidade estão delimitados por um refletor de alta qualidade óptica que reflete a radiação infravermelha gerada pelo cristal, outro refletor que reflete 1173 e 586,5 nm e um 'output coupler' que reflete 1973 e transmite 586,5 nm. A cavidade a ser desenvolvida é em forma de V, do tipo 'side pump folded'. Por causa do comprimento de onda do laser estar casado à banda de absorção do cristal laser, há pouca perda de energia de bombeamento e desta maneira os laseres são altamente eficientes. Finalmente, o sistema óptico do colimador de feixe de saída acoplado a um filtro impede qualquer feixe remanescente do bombeamento ou radiação infravermelha. A temperatura da cavidade laser, assim como a temperatura do laser de bombeamento de diodo semicondutor são controlados por 'coolers' termoelétricos (TEC) para proporcionar melhor performance e confiabilidade. (AU)