Transporte eletrônica em siliceno

• Processo: 12/19511-2
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
• Data de Início da vigência: 26 de março de 2013
• Data de Término da vigência: 13 de junho de 2013
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Hai Guoqiang
• Beneficiário: Hai Guoqiang
• Pesquisador visitante: Panagiotis Vasilopoulos
• Instituição do Pesquisador Visitante: Concordia University , Canadá
• Instituição Sede: Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
• Município da Instituição Sede: São Carlos
• Assunto(s): Efeito Hall quântico Estrutura eletrônica Grafenos Nanopartículas Semicondutores Condução eletrônica Tunelamento quântico
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Efeito Hall quântico | Estrutura eletrônica | Grapheno | nanoestrutura semicondutora | transporte eletrônico | tunelamento | Transporte eletrônico

Resumo

Muito recentemente, uma única camada bi-dimensionalde átomos de Silício (o siliceno), que produz uma rede hexagonal do tipo favo de abelha, foi criada em laboratório. As propriedades eletrônicas deste novo material são muito similares à do grapheno, exceto pelo fato da existência de um gap de energia natural no ponto de Dirac devido a uma forte interação spin-órbita. Esta diferença está fundamentada na hibridização da ligação entre os átomos de silício. Claro está que estas propriedades abrem uma nova perspectiva na aplicação deste material, sobretudo devido à sua completa compatibilidade com aqueles dispositivos eletrônicos baseados no Silício. De fato, os trabalhos sobre o siliceno estão ainda em uma fase muito inicial. Desta forma, é de fundamental importância que a pesquisa e o entendimento deste material se dêem de maneira célere. A colaboração com o visitante, com quem já começamos a discussão destes estudos, servirá como incremento para os nossos cálculos que deverão ser submetidos às revistas especializadas. (AU)