O efeito Hall de spin em semicondutores

• Processo: 13/03450-7
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de junho de 2013
• Data de Término da vigência: 31 de maio de 2015
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Felix Guillermo Gonzalez Hernandez
• Beneficiário: Felix Guillermo Gonzalez Hernandez
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Poços quânticos Spintrônica Semicondutores Efeito Hall quântico
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Efeito Hall de spin | efeito kerr com resolução temporal | Poços Quânticos | semicondutores | Spintrônica | Semicondutores

Resumo

A produção de correntes de spin com a aplicação de campos elétricos é um tema de intensa investigação atualmente dentro da área da microeletrônica chamada spintrônica - uma nova e muito promissora linha de pesquisa que pode levar a importantes aplicações práticas. O efeito Hall de spin é um método efetivo para controlar a condução de uma corrente de spin num dispositivo eletrônico utilizando o acoplamento spin-órbita. Neste projeto é proposto o estudo do efeito Hall de spin em poços quânticos de GaAs e InAs dopados com elétrons e buracos. O foco principal desta proposta é a otimização da geometria da estrutura com o objetivo de aumentar a interação spin-órbita com a análise dos efeitos em semicondutores não magnéticos. Este objetivo será alcançado através da realização de medidas de efeito de Kerr com resolução temporal e de transporte. (AU)

Publicações científicas

(14)

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

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