Luminescence at 1.3 and 1.5um with gaas capped inas quantum dots. 2) real-time investigation of in segregation by rheed measurements during mbe growth of ingaas on gaas (001).

• Processo: 02/07068-5
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 15 de setembro de 2002
• Data de Término da vigência: 20 de setembro de 2002
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Alain André Quivy
• Beneficiário: Alain André Quivy
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Pontos quânticos Segregação Microscopia de força atômica Dopagem eletrônica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Afm | Dopagem | Mbe | Pl | Pontos Quanticos | Segregacao