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Temperature and oxide thickness influence on the generation lifetime determination in partially depleted soi nmosfets.

Processo: 05/55126-2
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Reunião - Brasil
Data de Início da vigência: 04 de setembro de 2005
Data de Término da vigência: 07 de setembro de 2005
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
Pesquisador responsável:João Antonio Martino
Beneficiário:João Antonio Martino
Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Transistores MOSFET 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Electrical Characterization | Generation Lifetime | Linear Kink Effect | Mosfet | Soi | Transconductance
Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:
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