Effect of the substrate potential drop in accumulation mode soi pmosfets subthreshold slope.

• Processo: 98/04709-2
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Brasil
• Data de Início da vigência: 10 de agosto de 1998
• Data de Término da vigência: 14 de agosto de 1998
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: João Antonio Martino
• Beneficiário: João Antonio Martino
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Modeling | Mos Capacitor | Series Resistance | Sobstrate Effect | Soi Mosfet