1) analysis of the etch rate limiting steps in dry etching of tungsten in fluorine containing plasmas. 2) the influence of as over pressure on sn rapid thermal diffusion from sog into gaas.

• Processo: 94/00582-7
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 22 de maio de 1994
• Data de Término da vigência: 27 de maio de 1994
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Jacobus Willibrordus Swart
• Beneficiário: Jacobus Willibrordus Swart
• Instituição Sede: Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação (FEEC). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Arsenieto de gálio
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Fluorine Plasma | Gaas | Plasma Etching | Spin-On-Glass