Parasitic bipolar effects in gradechannel fully-depleted silicon-on-insulation nmosfet.

• Processo: 00/06558-3
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Brasil
• Data de Início da vigência: 18 de setembro de 2000
• Data de Término da vigência: 24 de setembro de 2000
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Marcelo Antonio Pavanello
• Beneficiário: Marcelo Antonio Pavanello
• Instituição Sede: Pessoa Física
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Fully-Depleted | Soi Tecnhology