A fully analytical continuous model for graded-channel soi mosfet for analogy applications.

• Processo: 04/06537-7
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Brasil
• Data de Início da vigência: 06 de setembro de 2004
• Data de Término da vigência: 11 de setembro de 2004
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Marcelo Antonio Pavanello
• Beneficiário: Marcelo Antonio Pavanello
• Instituição Sede: Centro Universitário FEI (UNIFEI). Campus de São Bernardo do Campo. São Bernardo do Campo , SP, Brasil
• Assunto(s): Alta temperatura
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Analog Circuits | Eletrical Characterization | Gc Soi Mosfet | High Temperature | Modeling | Soi Technology