Cv characterizations of polycrystalline sige films with low ge concentration.

• Processo: 06/01106-3
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 28 de maio de 2006
• Data de Término da vigência: 02 de junho de 2006
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Ioshiaki Doi
• Beneficiário: Ioshiaki Doi
• Instituição Sede: Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação (FEEC). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Lpcvd | Medidas Cv | Sige Policristalino | Materiais e Componentes Eletrônicos