Post-silicidation annealing effects on electrical and structural properties of nipt germanosilicide

• Processo: 08/05083-3
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Brasil
• Data de Início da vigência: 01 de setembro de 2008
• Data de Término da vigência: 04 de setembro de 2008
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Ioshiaki Doi
• Beneficiário: Ioshiaki Doi
• Instituição Sede: Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação (FEEC). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Microeletrônica Filmes finos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Filmes Finos | Microeletronica | Rtp | Silicetos De Ni E Nipt | Materiais e Componentes Semicondutores