1) trends in the metastability of dx-centers. 2) periodically si-& doped gaas via ab initio pseudopotential theory.

• Processo: 95/02327-7
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 23 de julho de 1995
• Data de Término da vigência: 08 de agosto de 1995
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Adalberto Fazzio
• Beneficiário: Adalberto Fazzio
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Defeitos Impurezas Estrutura eletrônica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Defeitos | Estrutura Eletronica | Impurezas | Semicondutores