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1) recombination mechanism of residual electrons in amorphous hydrogenated germanium after light excitation. 2) exafs and x-ray photoemission spectroscopy study of noble gases implanted in...

Processo: 01/07120-4
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
Data de Início da vigência: 27 de agosto de 2001
Data de Término da vigência: 07 de setembro de 2001
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Francisco das Chagas Marques
Beneficiário:Francisco das Chagas Marques
Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Assunto(s):Espectroscopia por absorção de raios X  Espectroscopia de fotoelétrons excitados por raios X  Filmes finos de carbono tipo diamante (DLC) 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Dlc | Exafs | Germanium | Lasr | Silicon | Xps
Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:
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