1) recombination mechanism of residual electrons in amorphous hydrogenated germanium after light excitation. 2) exafs and x-ray photoemission spectroscopy study of noble gases implanted in...

• Processo: 01/07120-4
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 27 de agosto de 2001
• Data de Término da vigência: 07 de setembro de 2001
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Francisco das Chagas Marques
• Beneficiário: Francisco das Chagas Marques
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Espectroscopia por absorção de raios X Espectroscopia de fotoelétrons excitados por raios X Filmes finos de carbono tipo diamante (DLC)
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Dlc | Exafs | Germanium | Lasr | Silicon | Xps