Low temperature pecvd deposition of highly conductive microcrystalline silicon thin films.

• Processo: 02/02573-3
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 10 de junho de 2002
• Data de Término da vigência: 21 de junho de 2002
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Ely Antonio Tadeu Dirani
• Beneficiário: Ely Antonio Tadeu Dirani
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Deposição química em fase de vapor assistida por plasma (PECVD) Raman
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Amorphous Silicon | Low Temperature | Pecvd | Raman