Electron emission enhanced chemical vapor deposition (eeecvd) for the fabrication of diverse silicon-containing films.

• Processo: 01/02550-0
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 30 de abril de 2001
• Data de Término da vigência: 04 de maio de 2001
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Steven Frederick Durrant
• Beneficiário: Steven Frederick Durrant
• Instituição Sede: Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação (FEEC). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Filmes finos Deposição química em fase de vapor assistida por plasma (PECVD)
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Actinometria | Filmes Finos | Hfcvd | Interacoes Plasma-Superficie | Pecvd