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Influence of stoichiometry on the luminescent properties of inas quantum dots grown on a inxga1-xas/inp heterostructure.

Processo: 05/01493-4
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
Data de Início da vigência: 10 de julho de 2005
Data de Término da vigência: 15 de julho de 2005
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Nelson Studart Filho
Beneficiário:Nelson Studart Filho
Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
Assunto(s):Semicondutores  Fios quânticos  Transporte de elétrons  Efeito Hall quântico 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Efeito Hall Quantico | Fios Quanticos | Semicondutores | Transporte De Eletrons | Sistemas eletrônicos de dimensionalidade reduzida
Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:
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