I - Propagation and localization of vertically polarized plasmon-lo phonon collective excitations in doped gaas/aias superlattices. II - Resonant Raman study of the InAs/GaAs self assembled quantum dots

• Processo: 99/07286-8
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 17 de outubro de 1999
• Data de Término da vigência: 22 de outubro de 1999
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Jose Claudio Galzerani
• Beneficiário: Jose Claudio Galzerani
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 95/00789-3 - Propriedades ópticas e de transporte de heteroestruturas semicondutoras: teoria e experiência, AP.TEM
• Assunto(s): Semicondutores Espectroscopia Raman Pontos quânticos Plasmons Fônons
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Espectroscopia Raman | Fonon | Heteroestrutura | Plasmon | Ponto Quantico | Semicondutor