Crescimento epitaxial de novos materiais para dispositivos spintrônicos

• Processo: 05/03998-6
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de fevereiro de 2006
• Data de Término da vigência: 31 de janeiro de 2008
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Gennady Gusev
• Beneficiário: Gennady Gusev
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Dispositivos eletrônicos Transistores Spintrônica Spin Elétrons Polarização de spin
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Algaas Alga | Campo Magnetico Crescimento Ep | Eletrons Bidimensionais | Spintronica | Transporte De Eletrons | Semicondutores

Resumo

O objetivo deste projeto é estudar os fenômenos físicos básicos e as propriedades de estruturas de AlyGay-1As/AlxGax-1 para aplicações em spintrônica. As propriedades de spin nestes materiais dependem fortemente das composições x e y de Al. Isto abre novas possibilidades para sintetizar materiais com uma estreita diferença entre as energias de "spin up" e "spin down" de elétrons bidimensionais na presença de campo magnético. Esta propriedade permite a fácil manipulação do spin eletrônico através da aplicação de um campo elétrico externo. Neste projeto investigaremos os efeitos da composição de Al sobre a polarização de spin e o transporte de elétrons bidimensionais em estruturas AlyGay-1As/AlxGax-1As. Como aplicação destes resultados, construiremos um transistor de spin, uma nova geração de dispositivos eletrônicos baseados no fluxo de spin em adição ao fluxo de carga. O orçamento aqui proposto visa garantir condições satisfatórias para o andamento dos trabalhos deste projeto. (AU)