1) raman active e2 modes in aluminium nitride films. 2) electrical and structural characterisation of dlc films deposited by magnetron sputtering.

• Processo: 00/08550-0
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 13 de outubro de 2000
• Data de Término da vigência: 22 de outubro de 2000
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Homero Santiago Maciel
• Beneficiário: Homero Santiago Maciel
• Instituição Sede: Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA). Ministério da Defesa (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil
• Assunto(s): Pulverização catódica Espectroscopia Raman
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Ain Raman Lines | Alumiium Nitride | Hydrogenated Carbon Film | Magnetron Sputtering | Raman Spectroscopy