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Exciton luminescence polarization decay in type ii semiconductor heterostructures.

Processo: 97/04414-0
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
Data de Início da vigência: 14 de julho de 1997
Data de Término da vigência: 18 de julho de 1997
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Erasmo Assumpção de Andrada e Silva
Beneficiário:Erasmo Assumpção de Andrada e Silva
Instituição Sede: Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE). Ministério da Ciência, Tecnologia e Inovação (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil
Assunto(s):Poços quânticos  Éxciton 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Excitons | Photoluminescencia | Pocos Quanticos | Relaxamento De Spin
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