A simple method to model nonrectangular-gate layout in soi mosfets.

• Processo: 05/55103-2
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Brasil
• Data de Início da vigência: 04 de setembro de 2005
• Data de Término da vigência: 07 de setembro de 2005
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Renato Camargo Giacomini
• Beneficiário: Renato Camargo Giacomini
• Instituição Sede: Centro Universitário FEI (UNIFEI). Campus de São Bernardo do Campo. São Bernardo do Campo , SP, Brasil
• Assunto(s): Transistores MOSFET
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Model | Mosfet | Silicon On Insulator