Lpcvd semi-insulating polycrystalline silicon (sipos) deposition and analyses: application to power diode passivation.

• Processo: 00/06990-2
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 03 de setembro de 2000
• Data de Término da vigência: 07 de setembro de 2000
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Nilton Itiro Morimoto
• Beneficiário: Nilton Itiro Morimoto
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Diodos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Diodos | Dispositivos De Potencia | Lpcvd | Sipos