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Projeto, fabricação e caracterização de transistores FinFETs
Processo: | 09/01617-6 |
Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior |
Data de Início da vigência: | 24 de maio de 2009 |
Data de Término da vigência: | 29 de maio de 2009 |
Área do conhecimento: | Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação |
Pesquisador responsável: | Paula Ghedini Der Agopian |
Beneficiário: | Paula Ghedini Der Agopian |
Instituição Sede: | Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil |
Vinculado ao auxílio: | 08/05792-4 - Projeto, fabricação e caracterização de transistores FinFETs, AP.TEM |
Assunto(s): | Nanotecnologia Eventos científicos e de divulgação |
Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Dispositivos SOI | Nanotecnologia | Silicon On Insulator | Tecnologia SOI | Dispositivos Semicondutores |
Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio: |
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