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1) evolution of the er environment in a-si:h under annealing: ion implantation versus co-deposition.

Processo: 99/05225-1
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
Data de Início da vigência: 22 de agosto de 1999
Data de Término da vigência: 01 de setembro de 1999
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Leandro Russovski Tessler
Beneficiário:Leandro Russovski Tessler
Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Assunto(s):Fotoluminescência  Espectroscopia por absorção de raios X  Semicondutores amorfos  Érbio  Terras raras  Fotônica 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Erbio | Exafs | Fotoluminescencia | Fotonica | Semicondutores Amorfos | Terras Raras
Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:
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