| Processo: | 16/21378-0 |
| Linha de fomento: | Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Brasil |
| Vigência: | 07 de fevereiro de 2017 - 07 de abril de 2017 |
| Área do conhecimento: | Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica |
| Pesquisador responsável: | Antonio Jefferson da Silva Machado |
| Beneficiário: | Antonio Jefferson da Silva Machado |
| Pesquisador visitante: | Adolfo Franco Junior |
| Inst. do pesquisador visitante: | Universidade Federal de Goiás (UFG). Instituto de Física, Brasil |
| Instituição-sede: | Escola de Engenharia de Lorena (EEL). Universidade de São Paulo (USP). Lorena , SP, Brasil |
| Assunto(s): | Efeito Hall Crescimento de cristais |
Resumo
Este plano versa sobre a possibilidade de crescimento de monocristais de compostos de composições HfV2Ga4, ZrV2Ga4 e ScV2Ga4. Os resultados apresentados aqui mostram que estes compostos exibem comportamento supercondutor que pode ser entendido dentro do cenário de multibandas. A assinatura de múltiplos gaps supercondutores foram verificados em medidas de calor específico em HfV2Ga4. Entretanto, o comportamento sem influência de contornos de grão e eventuais fases espúrias ou secundárias, só seria possível ser observado em monocristais de alta qualidade. Por este motivo, o principal objetivo deste projeto é explorar duas técnicas de crescimento de cristais, bem como a viabilidade das mesmas para estes sistemas. Neste sentido, a visita e colaboração do Prof. Dr. Adolfo Franco Júnior é de fundamental importância pela experiência do mesmo em caracterização de monocristais de alta qualidade, bem como a troca de experiência entre dois grupos que têm assuntos em comum. (AU)