Crescimento de monocristais de novos supercondutores com forte manifestação de multibandas (miltigaps) nos sistemas Hf-V-Ga e Zr-V-Ga.

• Processo: 16/21378-0
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Brasil
• Data de Início da vigência: 07 de fevereiro de 2017
• Data de Término da vigência: 07 de abril de 2017
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica
• Pesquisador responsável: Antonio Jefferson da Silva Machado
• Beneficiário: Antonio Jefferson da Silva Machado
• Pesquisador visitante: Adolfo Franco Junior
• Instituição do Pesquisador Visitante: Universidade Federal de Goiás (UFG). Instituto de Física, Brasil
• Instituição Sede: Escola de Engenharia de Lorena (EEL). Universidade de São Paulo (USP). Lorena , SP, Brasil
• Assunto(s): Efeito Hall Crescimento de cristais
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Comportamento multibanda | Crescimento de Cristais | efeito hall | Novos supercondutores | Novos Materiais Supercondutores

Resumo

Este plano versa sobre a possibilidade de crescimento de monocristais de compostos de composições HfV2Ga4, ZrV2Ga4 e ScV2Ga4. Os resultados apresentados aqui mostram que estes compostos exibem comportamento supercondutor que pode ser entendido dentro do cenário de multibandas. A assinatura de múltiplos gaps supercondutores foram verificados em medidas de calor específico em HfV2Ga4. Entretanto, o comportamento sem influência de contornos de grão e eventuais fases espúrias ou secundárias, só seria possível ser observado em monocristais de alta qualidade. Por este motivo, o principal objetivo deste projeto é explorar duas técnicas de crescimento de cristais, bem como a viabilidade das mesmas para estes sistemas. Neste sentido, a visita e colaboração do Prof. Dr. Adolfo Franco Júnior é de fundamental importância pela experiência do mesmo em caracterização de monocristais de alta qualidade, bem como a troca de experiência entre dois grupos que têm assuntos em comum. (AU)