| Processo: | 17/03135-5 |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Regular |
| Data de Início da vigência: | 01 de julho de 2017 |
| Data de Término da vigência: | 30 de junho de 2019 |
| Área do conhecimento: | Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos |
| Pesquisador responsável: | Edson Roberto Leite |
| Beneficiário: | Edson Roberto Leite |
| Instituição Sede: | Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil |
| Município da Instituição Sede: | São Carlos |
| Assunto(s): | Materiais cerâmicos Cerâmica (materiais cerâmicos) Hematita Propriedades elétricas Condutividade elétrica Microscopia eletrônica de transmissão |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Cerâmica eletrônica | contorno de grão | Hematita | Microscopia eletrônica de transmissão | Química de Materiais e Materiais Nanoestruturados |
Resumo
A Hematita (±-Fe2O3) é um importante semicondutor tipo n, com grande potencial de aplicação como foto-ânodo para gerar hidrogênio a partir da decomposição da molécula da água e auxiliada por fótons da luz solar. A eficiência deste semicondutor depende enormemente de sua condutividade eletrônica, no entanto a presença de contornos de grãos pode gerar um obstáculo sério. Nesta proposta de projeto pretendemos identificar os tipos de contornos de grãos presentes em cerâmicas policristalinas micro e nanoestruturadas de ±-Fe2O3 pura e dopada com Sn4+. Além disso pretendemos obter cerâmicas policristalinas nanoestruturadas de ±-Fe2O3 dopada com Sn4+ com condutividade eletrônica maior que a de um material dopado com o mesmo nível e tipo de impureza, porém com grãos micrométricos. Em realidade, de forma inovadora, iremos mostras que a segregação controlada na região dos contornos de grãos pode gerar materiais mais condutores e iremos explorar esse fenômeno para obter óxidos semicondutores com elevada condutividade eletrônica. (AU)
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