| Processo: | 17/02045-2 |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Regular |
| Data de Início da vigência: | 01 de junho de 2017 |
| Data de Término da vigência: | 31 de maio de 2019 |
| Área do conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Luis Carlos Ogando Dacal |
| Beneficiário: | Luis Carlos Ogando Dacal |
| Instituição Sede: | Instituto de Estudos Avançados (IEAv). São José dos Campos , SP, Brasil |
| Município da Instituição Sede: | São José dos Campos |
| Pesquisadores associados: | Andrés Cantarero Saez ; Valerio Olevano |
| Assunto(s): | Semicondutores Dopagem eletrônica Termoeletricidade Estrutura eletrônica Propriedades térmicas Teoria do funcional da densidade |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | efeito Seebeck | Estrutura eletrônica | propriedades térmicas | Semicondutor | Teoria do Funcional Densidade (DFT) | Termoeletricidade | Semicondutores |
Resumo
Termoeletricidade é um tema de pesquisa que vem recebendo atenção devido a seu apelo tecnológico e também ambiental. Ao mesmo tempo, SrTiO3 é um composto que vem despertando o interesse da comunidade científica por apresentar uma grande quantidade de propriedades interessantes, tanto do ponto de vista científico quanto tecnológico. Dentre estas propriedades, a capacidade de transformar calor em eletricidade (termoeletricidade) merece destaque.Nosso projeto irá calcular as propriedades termoelétricas de amostras de SrTiO3 dopadas com Nb e crescidas sobre LaAlO3. As amostras são crescidas em Barcelona (Espanha) através da técnica de "deposição por laser pulsado" e serão caracterizadas em Valencia (Espanha). Nossos cálculos darão suporte aos grupos experimentais na busca pelos parâmetros que otimizam o desempenho termoelétrico do material e contará também com a colaboração de um pesquisador teórico que trabalha no Instituto Néel (França). Nossa pesquisa contribuirá para uma melhor compreensão dos efeitos da dopagem e do substrato sobre as propriedades do SrTiO3 visando a obtenção de um dispositivo com desempenho termoelétrico ótimo. Para este fim, empregaremos cálculos de "primeiros princípios", uma "técnica" consolidada na comunidade científica internacional, mas que exige robustez dos recursos computacionais empregados. (AU)
| Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio: |
| Mais itensMenos itens |
| TITULO |
| Matéria(s) publicada(s) em Outras Mídias ( ): |
| Mais itensMenos itens |
| VEICULO: TITULO (DATA) |
| VEICULO: TITULO (DATA) |