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Método de cálculo de estruturas eletrônica de semicondutores

Processo: 92/02238-6
Modalidade de apoio:Bolsas no Brasil - Doutorado
Data de Início da vigência: 01 de agosto de 1992
Data de Término da vigência: 31 de agosto de 1996
Área de conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Marilia Junqueira Caldas
Beneficiário:Rogério José Baierle
Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Semicondutores   Fônons

Resumo

Pretendemos com este projeto desenvolver um método alternativo de cálculo de estrutura eletrônica dos sólidos, dentro do formalismo de Hartree-Fock-Roothaan, no modelo de, célula unitária aumentada (large unit cell - LUC) acoplado a métodos "tight-binding" em especial aos métodos semi-empíricos da Química Quântica/MNDO, INDO, AMI,...). Como teste e ao mesmo tempo aplicação deveremos estudar o centro-A em Si. Após o método estar devidamente testado deveremos implementá-lo ao estudo de fônons em super-redes. Paralelamente estudaremos os mesmos sistemas em simetrias especiais, agora utilizando o mesmo modelo LUC, mas com pseudopotenciais rigorosos, de primeiros princípios. (AU)

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Publicações acadêmicas
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
BAIERLE, Rogério José. Propriedades Estruturais e Óticas de Nanopartículas de Silício. 1997. Tese de Doutorado - Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF/SBI) São Paulo.