| Processo: | 07/57989-3 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Mestrado |
| Data de Início da vigência: | 01 de março de 2008 |
| Data de Término da vigência: | 28 de fevereiro de 2010 |
| Área de conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Fernando Iikawa |
| Beneficiário: | Tiago Illipronti Girardi |
| Instituição Sede: | Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil |
| Assunto(s): | Semicondutores Pontos quânticos Fotoluminescência Propriedades ópticas Arsenieto de gálio Fosfeto de índio |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Fotoluminescencia | Gaas | Inp | Pontos Quanticos | Propriedades Opticas | Semicondutores |
Resumo Neste projeto serão investigadas as propriedades ópticas de pontos quânticos auto-organizados de InP-GaAs, preparados por epitaxia por feixe químico. O interesse por esse material se deve à estrutura eletrônica, onde o elétron e o buraco ficam separados espacialmente devido ao alinhamento das bandas de energia nas interfaces ser do tipo II. O projeto é direcionado para investigar uma questão aberta sobre o sistema que é a observação do decaimento curto de emissão óptica de pontos quânticos de InP/GaAs, que é incompatível com o sistema tipo II. Serão utilizadas técnicas de medidas ópticas para a investigação de efeitos de interface em pontos quânticos de InP/GaAs, cujas amostras serão preparadas com diversas condições de interfaces controlando o tipo de liga que poderia formar nas interfaces evitando a formação de poços de potenciais nas interfaces. (AU) | |
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