Controle dos parametros de deposicao de filmes hetero-epitaxiais de gan e ga(1-x)mn(x)n preparados por rf magnetron sputtering.

• Processo: 06/00429-3
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Programa Capacitação - Treinamento Técnico
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 2006
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 2006
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
• Pesquisador responsável: Jose Humberto Dias da Silva
• Beneficiário: Adriano Vieira de Carvalho
• Instituição Sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 05/02249-0 - Controle dos parâmetros de deposição de filmes hetero-epitaxiais de GaN e Ga(1-x)Mn(x)N preparados por RF magnetron sputtering, AP.R
• Assunto(s): Deposição de filmes finos GAN
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Deposicao De Filmes | Gamnm | Gan | Rf Magnetron Sputteting | Preparação de Filmes Semicondutores

Resumo

Resumo das Atividades do BolsistaNeste trabalho estamos interessados em produzir filmes semicondutores de GaN e Ga(1-x)Mn(x)N pela técnica de RF magnetron sputtering com efetivo controle dos parâmetros de deposição. Para isto um sistema de sputtering anteriormente construído será complementado com novo porta-substratos, espectrômetro de massa, controladores eletrônicos de fluxo de gases, e novas linhas de gases de alta pureza. Estas modificações estão previstas no Projeto “Controle dos Parâmetros de Deposição de Filmes Hetero-Epitaxiais de GaN e Ga(1-x)Mn(x)N Preparados por RF Magnetron Sputtering”, recém aprovado pela Fapesp (2005/02249-0). O bolsista terá atuação efetiva no planejamento e dimensionamento dos detalhes técnicos das modificações do sistema, auxiliará e acompanhará a construção dos novos componentes, realizará testes das modificações, e utilizará o sistema modificado para preparar os filmes de interesse. As principais implementações do sistema que contarão com o auxílio do bolsista serão: (i) confecção de novo porta substratos com controles de temperatura (até 900°C) e polarização; (ii) instalação de nova linha de N2 de alta pureza com controle eletrônico de fluxo; (iii) instalação de analisador de gases residuais; (iv) instalação e testes de fonte de alta tensão para controle da polarização dos substratos.Os principais testes a serem realizados no sistema serão: (a) tempo de aquecimento e de uniformidade de temperatura do novo porta-substratos; (b) testes de limpeza e vazamentos no porta substratos e na nova linha de gás; (c) testes de plasma em relação a fluxos de gases, pressões parciais e polarização dos substratos; (d) testes preliminares de deposição de filmes nas novas condições. Após os testes das modificações o bolsista auxiliará na preparação de filmes em condições controladas, e auxiliará na confecção de manuais de operação para a nova configuração do sistema de sputtering.O aprendizado do bolsista compreenderá aspectos práticos e teóricos. Os aspectos práticos relacionam-se a tecnologia de vácuo, de controle de fluxos de gases, e controle de parâmetros de deposição de filmes finos. Os estudos teóricos compreenderão aspectos de física de descargas elétricas em gases, circuitos elétricos de rádio freqüência, e processos de crescimento de filmes finos.Nosso objetivo é que ao final do projeto o bolsista tenha adquirido bom grau de compreensão sobre técnicas importantes relacionadas à preparação de filmes semicondutores, e que tenha colaborado significativamente para a implementação do projeto.