Polarização de spin em diodos de tunelamento ressonante

• Processo: 11/10074-6
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de julho de 2011
• Data de Término da vigência: 31 de outubro de 2011
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Yara Galvão Gobato
• Beneficiário: Rogério Lúcio de Almeida
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 06/05765-1 - Fenômenos de spin e suas implicações nas propriedades eletrônicas, ópticas e de transporte de sistemas de portadores confinados e estendidos, AP.TEM
• Assunto(s): Spintrônica Fotoluminescência Semicondutores Polarização de spin Gás de elétrons bidimensional Poços quânticos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: fotoluminescencia | semicondutores | Spintrônica | semicondutores

Resumo

Esse projeto de pesquisa tem como objetivo principal realizar dar continuidade ao estudo sistemático da polarização de spin em diodos de tunelamento ressonante baseadas em sistemas III-V. Para isso, contamos com amostras preparadas pela equipe do Dr. Mohamed Henini da University of Nottingham (U.K.) na preparação e processamento de diodos de tunelamento ressonante. Pretendemos investigar a polarização de spin de portadores em poços quânticos (QW) e em pontos quânticos (QD) em função da voltagem aplicada na presença de altos campos magnéticos. Em particular, pretendemos investigar os efeitos de tunelamento e da injeção de portadores spin polarizados do gás bidimensional (2D) próximo a barreira injetora na polarização de spin no QW e em pontos quânticos de InAs e etc. (AU)