Síntese e propriedades de transporte eletrônico em nanofios semicondutores

• Processo: 12/06916-4
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de julho de 2012
• Data de Término da vigência: 29 de fevereiro de 2016
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Adenilson José Chiquito
• Beneficiário: Hanay Kamimura
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Síntese Fosfeto de índio Germânio Transporte eletrônico Nanofios
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: fosfeto de índio | Germânio | Nanofios | Síntese | transporte eletrônico | Semicondutores

Resumo

A presente proposta tem como objetivo a produção e caracterização de nanofios semicondutores monocristalinos. As nanoestruturas de interesse são nanofios de semicondutores como o germânio e o fosfeto de índio, ambos semicondutores "clássicos" e com potencial aplicação em dispositivos opto-nanoeletrônicos e que podem ser obtidos por rotas alternativas como o crescimento pelo mecanismo vapor-liquido-sólido catalisado por núcleos metálicos. Visando aperfeiçoar os processos de crescimento, pretende-se estudar algumas características estruturais e eletrônicas através de dispositivos baseados em um único ou em vários nanofios que serão desenvolvidos. Experimentos de transporte eletrônico deverão ser conduzidos permitindo: a caracterização dos mecanismos de condução, dos processos de espalhamento de portadores dominantes, da influência da desordem estrutural e superficial nos mecanismos de transporte. Como objetivos, buscam-se subsídios para o entendimento dos processos físicos envolvidos no transporte eletrônico e para o aperfeiçoamento da produção/aplicação de nanofios como elementos formadores (building blocks) de dispositivos nanoeletrônicos e nano-opto-eletrônicos.

Publicações científicas

(5)

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

KAMIMURA, H.; GOUVEIA, R. C.; DALMASCHIO, C. J.; LEITE, E. R.; CHIQUITO, A. J.. Synthesis and electrical characterization of Zn3P2 nanowires. Semiconductor Science and Technology, v. 29, n. 1, JAN 2014. (09/51740-9, 12/06916-4)

KAMIMURA, H.; GOUVEIA, R. C.; CARROCINE, S. C.; SOUZA, L. D.; RODRIGUES, A. D.; TEODORO, M. D.; MARQUES, G. E.; LEITE, E. R.; CHIQUITO, A. J.. Optical and transport properties correlation driven by amorphous/crystalline disorder in InP nanowires. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, v. 28, n. 47, NOV 30 2016. (12/06916-4, 13/18719-1, 14/07375-2)

GOUVEIA, R. C.; RODRIGUES, A. D.; LEITE, E. R.; CHIQUITO, A. J.. Schottky contacts in germanium nanowire network devices synthesized from nickel seeds. PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, v. 84, p. 537-542, OCT 2016. (12/06916-4)

GOUVEIA, R. C.; KAMINIURA, H.; MUNHOZ, R.; RODRIGUES, A. D.; LEITE, E. R.; CHIQUITO, A. J.. Germanium nanowires grown using different catalyst metals. Materials Chemistry and Physics, v. 183, p. 145-151, NOV 1 2016. (12/06916-4)

KAMIMURA, H.; DALMASCHIO, C. J.; CARROCINE, S. C.; RODRIGUES, A. D.; GOUVEIA, R. C.; LEITE, E. R.; CHIQUITO, A. J.. Optoelectronic characteristics of single InP nanowire grown from solid source. MATERIALS RESEARCH EXPRESS, v. 2, n. 4, APR 2015. (12/06916-4)