Estudo teórico de defeitos magnéticos em CdSe: do cristal volumétrico aos pontos quânticos

• Processo: 12/21264-3
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de março de 2013
• Data de Término da vigência: 31 de outubro de 2013
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Victor Lopez Richard
• Beneficiário: Daniel Ferreira Cesar
• Supervisor: Eduardo Ariel Menéndez Proupin
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Instituição Anfitriã: Universidad de Chile, Chile
• Vinculado à bolsa: 11/17944-6 - Novos sistemas nano-ópticos e dispositivos nano-eletrônicos: caracterização e aplicação, BP.PD
• Assunto(s): Semicondutores (físico-química) Spintrônica Estrutura eletrônica Pontos quânticos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Estrutura eletrônica | Materiais II-VI | Método ab-initio | nanoestruturas semicondutoras | Pontos Quânticos Magéticos | Spintrônica | Física de Semicondutores

Resumo

O presente projeto propõe uma sequência de tarefas relacionadas à investigação sistemática das propriedades estruturais e eletrônicas de semicondutores volumétricos e nanoestruturado confeccionados a partir de materiais da família II-VI, com e sem a incorporação de manganês (Mn). Dentro destas tarefas são propostas três linhas principais de investigação, a saber: i) familiarização do candidato com o método de cálculo ab-initio, na base da teoria do funcional densidade (DFT), por meio do cálculo das propriedades eletrônicas e estruturais do CdSe volumétrico, tais como: função de onda, densidade de portadores, densidade de carga, propriedades elásticas e espectro de fônons. ii) Estudo das propriedades oriundas da incorporação de impurezas e geração de defeitos em CdSe, visando a compreensão do nanomagnetismo nesse tipo de material, combinando os resultados dos cálculos obtidos na base do DFT com os cálculos de estrutura eletrônica de pontos quânticos de CdSe pelo método K.P. iii) Estudo das propriedades de nanoestruturas semicondutoras com incorporação de íons de manganês (Mn), visando aplicações em spintrônica. (AU)