Estudo local da valência de óxidos semicondutores

• Processo: 12/20512-3
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de janeiro de 2013
• Data de Término da vigência: 30 de junho de 2013
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Luiz Fernando Zagonel
• Beneficiário: Gabriel Gaál
• Instituição Sede: Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais (CNPEM). Ministério da Ciência, Tecnologia e Inovação (Brasil). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Nanotecnologia Semicondutores Microscopia eletrônica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Física de estado Sólido | Microscopia Eletrônica | Nanotecnologia | nanotecnologia

Resumo

Este projeto visa estudar estados locais de valência em óxidos semicondutores nano-estruturados (em particular V2O5 e TiO2) para compreender sua relação com outras propriedades desses materiais. Óxidos semicondutores nanoestruturados apresentam propriedades eletrônicas de interesse para aplicações em memristores, por exemplo. Para esse estudo, será utilizada a espectroscopia de perda de energia em um microscópio eletrônico de transmissão. Essa técnica permite a determinação do estado químico local e da razão metal-oxigênio. Esse estudo serve igualmente de introdução a área de semicondutores e microscopia para o bolsista e também para o desenvolvimento de metodologia nesse tipo de medida no laboratório. Para a realização dessas medidas, de alta complexidade, o bolsista contará com o apoio constante deste orientador.(AU)