Efeitos de arquitetura nas propriedades elétricas e morfológicas de dispositivos MIS

• Processo: 13/02499-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 2013
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 2013
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Neri Alves
• Beneficiário: Gabriel Leonardo Nogueira
• Instituição Sede: Faculdade de Ciências e Tecnologia (FCT). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Presidente Prudente. Presidente Prudente , SP, Brasil
• Assunto(s): Filmes finos Dispositivos eletrônicos Propriedades elétricas Espectroscopia de impedância
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: dispositivos MIS | espectroscopia de impedancia | P3Ht | Filmes finos e dispositivos

Resumo

O presente projeto prevê a fabricação de filmes finos de poli(3-hexiltiofeno) (P3HT) como material semicondutor e poli(metil-fenilsilsesquioxano) (PSQ) como dielétrico, no desenvolvimento e avaliação das propriedades elétricas e morfológicas de capacitores MIS (Metal-Isolante-Semicondutor) em duas arquiteturas distintas. Dispositivos denominados de top-gate, que contém a camada de isolante depositada sobre a de semicondutor, e bottom-gate, onde o semicondutor é depositado sobre o isolante, serão produzidos e avaliados. As diferentes interfaces metal/semicondutor, metal/isolante e semicondutor/isolante presentes em cada arquitetura, apresentam características que dependem fundamentalmente de sua ordem de preparo, exercendo grande influência nas propriedades finais do dispositivo. Neste trabalho, serão produzidos filmes finos de P3HT regiorregular e PSQ sobre diferentes substratos como ITO, alumínio e ouro. As características morfológicas destes filmes serão analisadas através de microscopia óptica, eletrônica de varredura (MEV) e de força atômica (AFM). Medidas de espectroscopia de impedância serão utilizadas para investigar tanto as características gerais do dispositivo quanto a influência das interfaces mencionadas. Este projeto tem como intuito a caracterização de capacitores MIS em função de sua arquitetura e a correlação das propriedades do dispositivo com as diferentes interfaces envolvidas, de modo a contribuir para o melhoramento dos atuais dispositivos eletrônicos orgânicos. (AU).