Crescimento e caracterização de nanofios de fosfeto de indio (InP)

• Processo: 13/02514-1
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 2013
• Data de Término da vigência: 30 de abril de 2015
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Adenilson José Chiquito
• Beneficiário: Sara Camelucci Carrocine Tognon
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Fosfeto de índio Nanofios Microscopia eletrônica de transmissão Difração por raios X
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: fosfeto de índio | mecanismo VLS | Semicondutores

Resumo

A presente proposta tem como objetivo a produção e caracterização de nanofios semicondutores monocristalinos de InP. As amostras de interesse, com potencial aplicação em dispositivos opto-nanoeletrônicos, deverão ser obtidas através da condensação de vapores dos materiais precursores em temperaturas controladas através do mecanismo vapor-líquido-sólido catalisado por núcleos metálicos. Uma vez produzidos, serão submetidos a diferentes técnicas de caracterização estrutural (microscopia de transmissão e varredura e difração de raios-x) num processo de "feedback" com o intuito do aprimoramento do processo experimental de obtenção das amostras bem como no entendimento do mecanismo de crescimento. Dessa forma, as atividades propostas visam o aprendizado de técnicas básicas para a preparação dos nanofios e a partir deste ponto, o aprimoramento do processo para sintonizar o sistema para a reprodutibilidade na obtenção de estruturas de melhor qualidade. Se possível, levando-se em conta o sucesso na obtenção dos nanofios de InP, dispositivos eletrônicos neles baseados podem ser estudados. (AU)