| Processo: | 13/24894-0 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado |
| Data de Início da vigência: | 01 de maio de 2014 |
| Data de Término da vigência: | 30 de abril de 2015 |
| Área de conhecimento: | Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação |
| Pesquisador responsável: | Francisco Javier Ramirez Fernandez |
| Beneficiário: | Osmar Franca Siebel |
| Instituição Sede: | Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil |
| Assunto(s): | Radiação ionizante Transistores MOSFET Dosimetria in vivo Circuitos integrados Radioterapia |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Circuitos Integrados | Dosimetria in vivo | Dosímetro MOSFET | Mosfet | Radiação ionizante | Radioterapia | Radioterapia |
Resumo Na radioterapia, a diferença entre a dose efetivamente recebida pelo paciente e a dose prevista para o tratamento não deve ser maior do que±5%, pois a resposta à radiação de alguns tumores pode variar abruptamente com a dose. Por esta razão, os dosímetros in vivo são fundamentais na radioterapia, pois eles são os únicos equipamentos que permitem que a dose seja monitorada no momento em que o paciente está sendo tratado. Neste contexto, insere se a proposta deste pós-doutorado que consiste no desenvolvimento de um dosímetro in vivo para aplicações radioterápicas utilizando como base o dosímetro a MOSFET que está sendo desenvolvido pelo candidato no seu doutorado. O dosímetro a MOSFET em desenvolvimento foi testado no Centro de Pesquisas Oncológicas (CEPON), Florianópolis-SC, com feixes de raios-X de 6MV e 15MV. Os principais resultados destes experimentos com radiação ionizante foram: sensibilidade de 98,1mV/Gy, dependência térmica de 0,5cGy/æC, dependência angular de 13%, dependência energética de 1,5%, linearidade de 97,5% e atenuação do feixe de apenas 0,14%. Estes resultados são promissores, entretanto a elevada dependência angular (13%) é uma importante desvantagem deste dosímetro. Por isso, um dos principais objetivos deste projeto de pós-doutorado é o de reduzir esta dependência angular com o desenvolvimento de um novo encapsulamento para o sensor. Além do projeto de um novo encapsulamento e consequente redução da dependência angular, as outras atividades a serem realizadas neste pós-doutorado são: aprimoramento do sistema de leitura do dosímetro e realização de mais experimentos com radiação ionizante.Palavras chave: MOSFET, dosímetro MOSFET, radioterapia, dosimetria in vivo. | |
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