Produção e caracterização eletrônica de interfaces metal-nanofios de SnO2

• Processo: 14/10779-8
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de agosto de 2014
• Data de Término da vigência: 31 de julho de 2015
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Adenilson José Chiquito
• Beneficiário: Guilherme Luciano Pozzoli
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Nanotecnologia Dispositivos eletrônicos Nanofios Dióxido de estanho Propriedades eletrônicas
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: interfaces metal-semicondutor | Nanofios | SnO2 | nanotecnologia

Resumo

Esta proposta tem como finalidade a produção e caracterização de dispositivos eletrônicos baseados em nanofios/nanofitas construídos a partir de óxidos metálicos como o SnO2. Este material em particular apresenta-se como excelente candidato à construção de diversos dispositivos eletrônicos, desde sensores de luz até transistores. Aqui é proposta a investigação das propriedades eletrônicas das nanoestruturas e dispositivos nelas baseados através do estudo da dependência dos processos de condução de corrente em relação diferentes metais usados para a definição dos contatos elétricos, resultando em diferentes interfaces metal-semicondutor. Neste trabalho, as atividades propostas ao candidato visam tanto o aprendizado de técnicas básicas para a produção das amostras, construção de dispositivos e estudo de suas propriedades, como a análise e interpretação das propriedades eletrônicas apresentadas pelos dispositivos.