ESTUDO, CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA E MODELAGEM DE TRANSISTORES BE (Back Enhanced) SOI MOSFET

• Processo: 15/25100-3
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de março de 2016
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 2018
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica
• Pesquisador responsável: João Antonio Martino
• Beneficiário: Leonardo Shimizu Yojo
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Modelagem Técnicas de caracterização elétrica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Be Soi Mosfet | Caracterização Elétrica | Modelagem | Microeletrônica/Nanoeletrônica

Resumo

A fim de se aprimorar o desempenho dos transistores e possibilitar circuitos integrados mais rápidos adotou-se a estratégia de diminuir as dimensões dos transistores, até o surgimento de efeitos parasitários que degradavam sua performance. Nesse contexto, a tecnologia SOI MOSFET tem se destacado como uma alternativa viável para a indústria de circuitos integrados como forma de contornar tais efeitos parasitários. Portanto é de grande interesse o estudo destas novas estruturas SOI MOSFET fabricadas no Brasil como forma de se obter um nível de independência tecnológica dos demais países cujas indústrias de eletrônicos estão mais desenvolvidas.Este projeto de pesquisa propõe o estudo das características elétricas, princípios físicos e dos parâmetros que descrevem um dispositivo construído utilizando a tecnologia SOI, com especial enfoque no transistor BE SOI MOSFET construído no Laboratório de Sistemas Integráveis (LSI) da Universidade de São Paulo (USP) que tem uma patente de fabricação submetida junto ao INPI sob o número BR 10 2015 020974 6 e que se destaca pela sua simplicidade de fabricação e flexibilidade. Atualmente este dispositivo encontra-se na sua segunda versão, no qual foi comprovada sua flexibilidade de operação, podendo ser utilizado tanto como transistor tipo p como tipo n (BE SOI pMOSFET e BE SOI nMOSFET). Por se tratar de um transistor novo, é necessário um estudo aprofundado de suas características elétricas e modelagem para ambos os tipos (p e n), que será feito de forma inédita neste trabalho.

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

YOJO, Leonardo Shimizu. Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET.. 2018. Dissertação de Mestrado - Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica (EP/BC) São Paulo.