Desenvolvimento de um diodo Schottky impresso para fotodetecção UV usando grafeno e ZnO

• Processo: 16/18871-6
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de dezembro de 2016
• Data de Término da vigência: 31 de janeiro de 2018
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Neri Alves
• Beneficiário: Douglas Henrique Vieira
• Instituição Sede: Faculdade de Ciências e Tecnologia (FCT). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Presidente Prudente. Presidente Prudente , SP, Brasil
• Assunto(s): Eletrônica Grafenos Óxido de zinco Fotodetectores Raios ultravioleta
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Diodo schottky | fotodetecção UV | Grafeno | impressão | Óxido de Zinco | spray | eletrônica

Resumo

Atualmente sensores de UV estão em destaque devido à ampliação do buraco na camada de Ozônio e os males que acompanham o aumento da exposição a essa radiação. É de interesse tecnológico e social a produção de sensores de UV que possam ser impressos, por exemplo, em embalagens inteligentes, peças de vestuários ou adornos. Neste contexto, o desafio da eletrônica impressa é desenvolver sensores de UV que apresentem boa resposta sensitiva, baixo custo e que sejam passíveis de impressão. Para este propósito é necessária a obtenção de semicondutores com alta mobilidade que forme filmes com boa morfologia quando impresso, resultando em boa uniformidade e reprodutibilidade dos dispositivos. Vários semicondutores podem ser utilizados para impressão, dentre eles, destacamos o grafeno e o ZnO, cujas propriedades elétricas e ópticas permitem a sua utilização como fotodetectores de radiação UV. O grafeno possui alta transparência óptica, condutividade elétrica e estabilidade química, o ZnO traz como vantagem uma alta mobilidade e o fato de apresentar uma grande absorção UV devido a sua energia da banda proibida ser de 3,35 eV. Ambos materiais são passíveis de ser impressos por técnica de spray, com isso é possível formar um diodo Schottky híbrido composto da junção do ZnO com grafeno impressos. O projeto propõe a investigação das propriedades do diodo de Schottky quanto as suas caraterísticas morfológicas, estruturais, ópticas e elétricas, além da fotossensibilidade na presença de UV. (AU)