Estudo comparativo da performance de transistores MOSFETs convencionais e transistores SOI MOSFETs na tecnologia de 130nm

• Processo: 16/25362-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 2017
• Data de Término da vigência: 30 de abril de 2019
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Telecomunicações
• Pesquisador responsável: Paula Ghedini Der Agopian
• Beneficiário: Carlos Augusto Zan Malaguti
• Instituição Sede: Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus Experimental São João da Boa Vista. São João da Boa Vista , SP, Brasil
• Assunto(s): Transistores Microeletrônica Simulação numérica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Caracterização Elétrica | Simulação Numérica | Tecnologia de silício sobre isolante | microeletrônica

Resumo

Com a redução dos dispositivos a dimensões nanométricas, o controle dos efeitos de canal curto em transistores MOSFETs convencionais têm se tornado cada vez mais difícil. Os transistores MOS fabricados em tecnologia SOI constituem uma das mais importantes áreas de estudo na atualidade, devido às excelentes melhoras no desempenho desses dispositivos, maior imunidade aos efeitos de canal curto e maior velocidade de chaveamento. Neste projeto pretende-se estudar o comportamento dos transistores SOI MOSFETs por meio de comparação com a tecnologia MOSFET convencional. Este projeto de iniciação científica será baseado tanto em medidas experimentais de transistores da tecnologia 130nm quanto em simulações numéricas dos dispositivos. Os simuladores de dispositivos têm tido um papel fundamental para este tipo de estudo uma vez que nos permite entender melhor a física dos dispositivos através da análise de parâmetros internos dos mesmos. (AU)