Modelagem de MOSFETs alterados por dose total ionizante (TID) usando redes neurais artificiais

• Processo: 22/02331-3
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de julho de 2022
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 2023
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Circuitos Elétricos, Magnéticos e Eletrônicos
• Pesquisador responsável: Dennis Lozano Toufen
• Beneficiário: Lucas Souza Andrade dos Santos
• Instituição Sede: Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia de São Paulo (IFSP). Campus Guarulhos. Guarulhos , SP, Brasil
• Assunto(s): Redes neurais (computação) Circuitos elétricos Radiação ionizante
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Dose Total Ionizante (TID) | MOSFETs | Redes Neurais Artificiais | Simulação de componentes eletrônicos | Efeitos das radiações em dispositivos eletrônicos

Resumo

A radiação ionizante absorvida por dispositivos semicondutores pode alterar suas propriedades através da modificação dos parâmetros elétricos que os caracterizam e, no caso de memórias ou processadores, pode modificar a informação contida nesses dispositivos. Estes efeitos são especialmente importantes em ambientes cuja exposição à radiação seja bastante intensa, como, por exemplo, no caso de satélites, aceleradores de partículas, reatores nucleares, equipamentos médicos entre outros. Este projeto tem como objetivo utilizar um modelo de rede neural para reproduzir o comportamento de MOSFETs quando submetidos a alterações por danos de radiação ionizante. Para isso, o aluno deverá realizar uma pesquisa bibliográfica sobre as alterações já conhecidas nestes dispositivos semicondutores. A partir das alterações esperadas implementar e testar um modelo de rede neural, bem como o algoritmo de treinamento para reproduzir tais alterações. Tal modelo neural poderá então ser utilizado para simular o comportamento de circuitos e sistemas quando o MOSFET é alterado por radiação ionizante. O projeto, portanto, têm aderência aos seguintes setores de tecnologias estratégicas: Inteligência Artificial, Nuclear e Espacial.(AU)

Publicações científicas

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

DOS SANTOS, LUCAS S. A.; ALLEGRO, PAULA R. P.; GUAZZELLI, MARCILEI A.; GUIDI, ANA L.; JUNIOR, PAULO R. G.; JUNIOR, VALDISON S. A.; TOUFEN, DENNIS L.; BOAS, ALEXIS C. VILAS C.. Modeling of MOSFETs Altered by Ionizing Radiation Using Artificial Neural Networks. Brazilian Journal of Physics, v. 53, n. 4, p. 8-pg., 2023-08-01. (22/02331-3)