Integração de pontos quânticos não tensonado em estruturas fotônicas automontadas

• Processo: 23/01517-9
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Pesquisa
• Data de Início da vigência: 01 de setembro de 2023
• Data de Término da vigência: 01 de março de 2024
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Christoph Friedrich Deneke
• Beneficiário: Christoph Friedrich Deneke
• Pesquisador Anfitrião: Armando Rastelli
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Instituição Anfitriã: Johannes Kepler University Linz (JKU), Áustria
• Assunto(s): Pontos quânticos Ressonadores ópticos Informação quântica Semicondutores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Freestanding membranes | Photonic structures | quantum dots | Quantum Information | single photon sources | Semiconductor physics

Resumo

Neste projeto, planejamos integrar pontos quânticos sem tensão como emissores ópticos nas paredes de ressonadores de modo de galeria de sussurrante fabricados por roll-up. Portanto, sugere-se uma visita de pesquisa técnica de 6 meses do proponente à Johannes Kepler Universität (JKU), Linz, Áustria. Por meio deste projeto, queremos combinar a experiência do proponente com a experiência do grupo JKU para fabricar uma estrutura única para pesquisas futuras no campo de dispositivos opto-eletrônicos, estruturas híbridas de material/semicondutor 2D, bem como experimentos de informação quântica. Os pontos quânticos sem tensão foram estabelecidos como fontes de fótons únicos de estado sólido com alto potencial de integração na tecnologia de semicondutores existente. O grupo JKU é um dos principais grupos que produzem essas amostras e as usam para experimentos de emaranhamento quântico e informações quânticas. As aplicações do dispositivo normalmente requerem a integração dos pontos quânticos em estruturas fotônicas. Os ressonadores do modo galeria de sussurrante são ressonadores fotônicos com fatores de alta qualidade e boa compatibilidade com os dispositivos semicondutores existentes. Eles podem ser formados por um processo de automontagem de lançamento e rearranjo de uma heteroestrutura semicondutora pré-tensionada de seu substrato. A combinação das duas técnicas - pontos quânticosnão treinados como emissores ópticos em ressonadores enrolados no modo galeria de sussurrante - oferece uma plataforma única para a física básica, bem como para a fabricação de dispositivos. Além disso, tais estruturas são candidatos ideais para futuras estruturas híbridas combinando tecnologia de semicondutores com materiais 2D como grafeno ou dicaldicalcogeneto de metal de transição. (AU)