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Compreendendo o transistor orgânico eletroquímico vertical e seus fundamentos

Processo: 23/10737-2
Modalidade de apoio:Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Doutorado
Data de Início da vigência: 10 de julho de 2024
Data de Término da vigência: 09 de julho de 2025
Área de conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Gregório Couto Faria
Beneficiário:Marcos Luginieski
Supervisor: Bjorn Lussem
Instituição Sede: Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
Instituição Anfitriã: University of Bremen, Alemanha  
Vinculado à bolsa:22/02768-2 - Inversores Complementares Impressos a Base de Transistores Eletroquímicos Orgânicos, BP.DR
Assunto(s):Polímeros condutores   Transistores
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Organic electrochemical transistors | Vertical organic transistors | Física de polímeros condutores

Resumo

Esse projeto de pesquisa foca nos transistores orgânicos eletroquímicos verticais (v-OECTs), com o principal objetivo de melhorar a velocidade de chaveamento e compreender o comportamento da tensão de threshold. Os resultados serão comparados com os transistores planares para avaliar as diferenças e a melhora na performance. A investigação acerca da tensão de threshold nos v-OECTs visa elucidar possíveis relações entre esse parâmetros e a morfologia do filme e/ou a distribuição do campo elétrico no canal. Além disso, o projeto irá explorar a aplicação desses dispositivos como inversores complementares e dispositivos "brain-inspired", demonstrando sua potencial para circuitos complexos e computação neuromórfica. (AU)

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Publicações científicas
(As publicações científicas contidas nesta página são originárias da Web of Science ou da SciELO, cujos autores mencionaram números dos processos FAPESP concedidos a Pesquisadores Responsáveis e Beneficiários, sejam ou não autores das publicações. Sua coleta é automática e realizada diretamente naquelas bases bibliométricas)
LUGINIESKI, MARCOS; TORRES, BRUNO BASSI MILLAN; FEITOSA, BIANCA DE ANDRADE; DIJK, GERWIN; SALLEO, ALBERTO; FARIA, GERGORIO COUTO. . JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, v. 14, n. 1, p. 10-pg., . (22/02768-2, 14/50869-6, 23/10737-2)
KUMAR, RAMESH; LUGINIESKI, MARCOS; KUMAR, ANKUSH; BARBOSA, HENRIQUE FRULANI DE PAULA; SCHANDER, ANDREAS; FARIA, GREGORIO COUTO; LUESSEM, BJOERN. . ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, v. N/A, p. 9-pg., . (22/02768-2, 23/10737-2, 14/50869-6)
HIGUITA, GERMAN D. GOMEZ; BOCCHI, JOAO H. C.; FLOREZ, YOSTHYN M. ARIZA; DALKIRANIS, GUSTAVO G.; FEITOSA, BIANCA DE ANDRADE; SOUSA, DIEGO; GUSSO, SARA LUIZA; LUGINIESKI, MARCOS; DE LIMA, JOAO VITOR; DE SOUZA, RAFAEL F. SANTIAGO; et al. . MATERIALS ADVANCES, v. 6, n. 17, p. 10-pg., . (19/26375-7, 23/10737-2, 14/50869-6, 22/02768-2)