Compreendendo o transistor orgânico eletroquímico vertical e seus fundamentos

• Processo: 23/10737-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Doutorado
• Data de Início da vigência: 10 de julho de 2024
• Data de Término da vigência: 09 de julho de 2025
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Gregório Couto Faria
• Beneficiário: Marcos Luginieski
• Supervisor: Bjorn Lussem
• Instituição Sede: Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
• Instituição Anfitriã: University of Bremen, Alemanha
• Vinculado à bolsa: 22/02768-2 - Inversores Complementares Impressos a Base de Transistores Eletroquímicos Orgânicos, BP.DR
• Assunto(s): Polímeros condutores Transistores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Organic electrochemical transistors | Vertical organic transistors | Física de polímeros condutores

Resumo

Esse projeto de pesquisa foca nos transistores orgânicos eletroquímicos verticais (v-OECTs), com o principal objetivo de melhorar a velocidade de chaveamento e compreender o comportamento da tensão de threshold. Os resultados serão comparados com os transistores planares para avaliar as diferenças e a melhora na performance. A investigação acerca da tensão de threshold nos v-OECTs visa elucidar possíveis relações entre esse parâmetros e a morfologia do filme e/ou a distribuição do campo elétrico no canal. Além disso, o projeto irá explorar a aplicação desses dispositivos como inversores complementares e dispositivos "brain-inspired", demonstrando sua potencial para circuitos complexos e computação neuromórfica. (AU)